三星首发LPDDR5内存芯片 频率高功耗低
7月17日上午三星宣布开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片，基于10nm级（10~20nm）工艺。该LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb（1GB），8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。
功耗方面，比LPDDR4X降低高达30%，主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术加入。
三星的8Gb LPDDR5规格弹性较高，1.1V工作电压下可达6400Mbps，1.05V下可达5500Mbps，供手机、车载平台自行选择。
新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分，后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片（2017年12月量产）和16Gb DDR5内存芯片（今年2月份开发完成）。
三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。
原标题：三星首发LPDDR5内存芯片 频率高功耗低
责任编辑：李晓灵
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