三星测试10纳米Exynos 8895芯片 时钟频率高达4GHz
据Android Authority网站报道，有媒体刊文称三星在测试新款Exynos 8895芯片，它集成有4个时钟频率达4GHz的高性能内核。传言称，Exynos 8895芯片(名字并未经过证实)还集成有4个时钟频率为2.7GHz、性能较低的Cortex-A53内核。Exynos 8895将用于明年的Galaxy S8，采用10纳米工艺制造。
值得指出的是，在市场上公开销售的Exynos 8895时钟频率将远低于4GHz。降低时钟频率的原因是避免过热，Exynos 8890在测试时时钟频率高达3GHz，但被应用在Galaxy S7 Edge和Galaxy Note 7中时被下调至2.3GHz。Android Authority预计Exynos 8895性能将比三星当前14纳米工艺芯片高出三分之一。
Android Authority表示，据悉，Exynos 8895时钟频率为4GHz时的能耗与3.6GHz的骁龙830(也采用了10纳米工艺)相当。鉴于高通高时钟频率芯片遇到的发热问题，三星新款芯片在发热方面的表现我们尚需拭目以待。
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