台积电3nm天玑芯片预计2024年上市 功耗规格曝光
今日，联发科官方宣布，联发科首款采用台积电3nm工艺的天玑旗舰芯片开发顺利，日前已成功流片，预计2024年下半年上市，将成为联发科最强5G Soc。
据悉，台积电3nm拥有更强性能、功耗、良率，相较5nm工艺，3nm工艺的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或在相同速度下功耗降低32%。
在今年7月的季度财务会议上，台积电CEO魏哲家透露，去年底开始量产的N3 3nm工艺，已完全通过验证，性能、良品率都达到了预期目标。
台积电3nm工艺第一代为N3B，技术上很先进很复杂，应用多达25个EUV光刻层，还有双重曝光，从而达到更高的晶体管密度，这也致使价格更贵。
第二代则是N3E，EUV光刻层减少到19个，去掉双重曝光，会便宜不少，更适合主流产品。
值得一提的是，iPhone 15系列下周就要发布了，其中iPhone 15 Pro/Pro Max机型将升级苹果A17处理器，将首发台积电3nm工艺，芯片表现如何，值得期待。
原标题：联发科最强5G Soc！台积电3nm天玑芯片成功流片：2024年量产
责任编辑：李晓灵
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