曝台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA 技术
据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在 2nm 研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术 (gate-all-around，简称 GAA)技术。
台媒称，三星已决定在 3nm 率先导入 GAA 技术，并宣称要到 2030 年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位，台积电研发团队一刻也不敢松懈，积极投入 2nm 研发，并获得技术重大突破，成功找到切入 GAA 路径。
台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁，还为此举办庆功宴，感谢研发工程师全心投入。
台积电 3nm 制程预计明年上半年在南科 18 厂 P4 厂试产、2022 年量产，业界以此推断，台积电2nm 推出时间将在 2023 年到 2024 年间。
台积电今年 4 月曾表示，3nm 仍会沿用 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，主要考虑是客户在导入 5nm 制程后，采用同样的设计即可导入 3nm 制程，可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。
台积电成立于 1987 年，是全球最大的晶圆代工半导体制造厂，客户包括苹果、高通等等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。台积电公司股票在台湾证券交易所上市，股票代码为 2330，另有美国存托凭证在美国纽约证券交易所挂牌交易，股票代号为 TSM。
