陈星弼院士去世曾入选ISPSD名人堂 陈星弼人物生平贡献成就介绍
陈星弼院士去世曾入选ISPSD名人堂 陈星弼人物生平贡献成就介绍
陈星弼院士去世，“中国功率器件领路人”陈星弼院士于12月4日在成都逝世，享年89岁。陈星弼是国际半导体界著名的超结构的发明人，该发明被称为“功率器件的新里程碑”。他曾说，能够在短促的人生中，以科学服务人类，这就是我此生不倦追求。希望有更多的青年献身科研，成为服务国家科研发展的脊梁。走好！
2019年12月4日17时10分，“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。陈星弼，1931年1月出生于上海，1952年毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，1956年开始在电子科技大学任教，1999年当选中国科学院院士。他是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，该发明被称为“功率器件的新里程碑”。2018年，在功率半导体领域最顶级的学术年会上，陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。
陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他一生发表学术论文200余篇，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。
陈星弼曾获得国家技术发明奖、科技进步奖等诸多荣誉，2015年获得IEEE ISPSD（国际功率半导体器件与集成电路年会）颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。
责任编辑：李晓灵
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