我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士逝世(简历)
6月24日，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效，不幸于2022年6月23日17时在北京逝世，享年89岁。
梁骏吾院士1933年9月18日生于湖北武汉，1997年当选中国工程院院士。他先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。
梁骏吾院士从事半导体材料科学研究工作六十多年，是我国早期半导体硅材料的奠基人。上世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术；1964年制备出室温激光器用 GaAs 液相外延材料；1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶；80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题；90年代初研究 MOCVD 生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平；他还在太阳电池用多晶硅的研究和产业化等方面发挥着积极作用。
原标题：我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士逝世
责任编辑：郑莉莉
- 相关阅读:
-
强降雨致滑坡 贵州都香高速长顺段双向交通中断2022-06-18宁德市调整部分住房公积金使用政策2022-06-20唐山市公安局路北分局局长马爱军被查 马爱军简历照片2022-06-21
- 新闻 娱乐 福建 泉州 漳州 厦门
-
- 中央安全生产考核巡查受理问题隐患线索工作启动
2026-06-10 17:48 - 四川省人民政府发布一批人事任免
2026-06-10 17:39 - 中国代表强调安理会已终止审议伊朗核问题
2026-06-10 17:06 - 伊朗消息人士称反击行动击中七成预定目标
2026-06-10 17:06 - 美国对伊朗浓缩铀要求有变：“外运”变“稀释”？
2026-06-10 17:06 - 古特雷斯呼吁为残疾人参与政治与公共生活扫清障碍
2026-06-10 17:06 - 南非约翰内斯堡发生枪击事件致12人死亡
2026-06-10 17:06
- 中央安全生产考核巡查受理问题隐患线索工作启动
- 猜你喜欢:
-
陈东升出任最高检党组成员、政治部主任2026-05-28四预警齐发，南北多地将有雷暴大风和大冰雹2026-06-03临沂市人大常委会原党组副书记、副主任徐福田严重违纪违法被开除党籍2026-06-03
-
评论(我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士逝世(简历))