芯片散热新思路 我国开发出介电基底修饰新技术
新华社上海3月16日电（记者吴振东）半导体芯片运算速度越来越快，但随之而来的芯片发热问题困扰着业界和学界。复旦大学科研团队新近开发出一种介电基底修饰新技术，有望解决芯片散热问题。相关研究成果在线发表于权威科学期刊《自然·通讯》。
研究表明，在一个芯片中，半导体材料和绝缘体材料之间，以六方氮化硼为材质的界面材料，将对其电子迁移率和散热产生至关重要的影响。传统方式是，研究人员先将其在别的“盆”里种出来，然后移栽到芯片材料上。
复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程带领团队，开发了一种共形六方氮化硼修饰技术，在最低温度300摄氏度的条件下，无需催化剂直接在二氧化硅/硅片（SiO2/Si）、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“生长”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”效果的共形修饰技术，能让芯片材料性能显著提升。
专家表示，这一技术具有高普适性，不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件，还可以推广到其他材料和更多器件应用中，共形六方氮化硼也具有规模化生产和应用的巨大潜力。
原标题：芯片散热有了新思路 我国科学家开发出介电基底修饰新技术
责任编辑：曾少林
- 相关阅读:
-
3月11日沪指涨逾1%重回3000点 创业板指涨近3%2019-03-11水利部：防汛宁可十防九空 绝不一次放松2019-03-13黑鲨2游戏手机什么时候发布 目前官网和小米商城可预约2019-03-13
- 新闻 娱乐 福建 泉州 漳州 厦门
-
- 德国内阁批准2026年预算草案 投资规模创纪录
2025-07-31 16:28 - 两名中国人在东京遭不明身份人员袭击受重伤
2025-07-31 16:28 - 国务院任免国家工作人员（2025年7月31日）
2025-07-31 16:27 - 泽连斯基：已批准与美武器协议的关键原则
2025-07-31 16:01 - 中国海油原党组成员、副总经理袁光宇严重违纪违法被开
2025-07-31 11:17 - 兵器装备集团原党组成员、副总经理刘卫东严重违纪违法
2025-07-31 11:17 - 新动能、新活力、更便捷……透过关键词看“十四五”移
2025-07-31 10:38
- 德国内阁批准2026年预算草案 投资规模创纪录
- 猜你喜欢:
-
REDMI K90系列详细配置曝光：影像短板补齐 更全能了2025-07-17胡塞武装称用无人机袭击以色列5处目标2025-07-227月25日央行开展7893亿元7天期逆回购操作2025-07-25
-
评论(芯片散热新思路 我国开发出介电基底修饰新技术)